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异质结半导体激光器

异质结半导体激光器的优点是减小了注入电流,增加了发光强度。

  为了说明半导体激光器如何产生激光,必须先介绍半导体的能带分布。
 

  本征半导体的能带分布。本征半导体就是指没有任何外来杂质的理想半导体。由于半导体本身是同体,原子排列非常紧密,使得电子轨道相互重叠,从而使半导体的分立能级形成。

  电子充填能带时,总是从能量最低的能带向上填充。因此,满带被电子占满,其中的电子不起导电作用;价带可能被电子占满,也可能被占据一部分;导带中的电子具有导电作用,导带底部与价带顶部之间为禁带,用宽度E。表示,禁带是电子不能占据的能带;EF为费米能级。

  P型半导体和N型半导体的形成。如果向本征半导体内掺入不同杂质元素,则相当于给半导体材料提供导电的电子或空穴。通常将向本征半导体材料掺人提供电子的杂质元素后而形成的半导体材料称为N型半导体,它属于电子导电型;若掺人的是提供空穴的杂质元素,那么这种半导体材料为P型半导体,它是属于空穴导电型的。

  在重掺杂情况下,N型半导体和P型半导体的能带分布。如果N型半导体和P型半导体都是重掺杂的,则表示前者提供的电子多,后者提供的空穴多。在这种情况下,能在费米能级中产生较低,在价带中。

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